型号: SIHFBC30STRL-GE3
功能描述: Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC30STRL-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
制造商: Vishay
通道类型： N
最大连续漏极电流： 3.6 A
最大漏源电压： 600 V
最大漏源电阻值： 2.2 0hms
最小栅阈值电压： 2V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： D2PAK (TO-263)
安装类型： 表面贴装
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 74 W
高度： 4.83mm
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 10.67 x 9.65 x 4.83mm
最高工作温度： +150 °C
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 31 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 660 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 35 ns
典型接通延迟时间： 11 ns
最低工作温度： -55 °C
长度： 10.67mm
宽度： 9.65mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13715037703
Q Q:
联系人：麦逸芬
电话：13430483190
Q Q:
联系人：陈
电话：13670302861
Q Q:
联系人：路大为
电话：18701500405
Q Q:
联系人：朱春游
电话：18902310817
Q Q:
