型号: SIHFBC30STRL-GE3
功能描述: Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC30STRL-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
制造商: Vishay
通道类型： N
最大连续漏极电流： 3.6 A
最大漏源电压： 600 V
最大漏源电阻值： 2.2 0hms
最小栅阈值电压： 2V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： D2PAK (TO-263)
安装类型： 表面贴装
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 74 W
高度： 4.83mm
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 10.67 x 9.65 x 4.83mm
最高工作温度： +150 °C
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 31 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 660 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 35 ns
典型接通延迟时间： 11 ns
最低工作温度： -55 °C
长度： 10.67mm
宽度： 9.65mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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