型号:  SIHFS11N50A-GE3

功能描述:  MOSFET 600V Vds E Series D2PAK TO-263

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  500 V

Id-连续漏极电流:  11 A

Rds On-漏源导通电阻:  520 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  52 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  170 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Reel

高度:  4.83 mm

长度:  10.67 mm

系列:  SIHFS

晶体管类型:  MOSFET

宽度:  9.65 mm

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  6.1 S

下降时间:  28 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  35 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  32 ns

典型接通延迟时间:  14 ns

单位重量:  2.200 g