型号: SIHG-22N60E-GE3
功能描述: MOSFET
制造商: Vishay
系列： SI
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 21A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 86nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1920pF @ 100V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 227W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 180 毫欧 @ 11A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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