型号: SIHG-22N60E-GE3
功能描述: MOSFET
制造商: Vishay
系列： SI
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 21A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 86nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1920pF @ 100V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 227W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 180 毫欧 @ 11A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：柯先生
电话：15072058203
Q Q:
联系人：赵军
电话：18682318008
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13823793399
Q Q:
联系人：郭小姐
电话：15818715186
Q Q:
联系人：李
电话：13632880560
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：聂小梅
电话：13560767759
Q Q:
联系人：唐波
电话：13826198248
Q Q:
联系人：李维
电话：13714220997
Q Q:
