型号:  SIHG28N60EF-GE3

功能描述:  EF-Series N-Channel 600 V 250 W 123 mO 120 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-247

制造商:  Vishay

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  28A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  120nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2714pF @ 100V

Vgs（最大值）：  ±30V

功率耗散（最大值）：  250W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  123 毫欧 @ 14A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-247-3

封装形式Package：  TO-247AC-3

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  600V

连续漏极电流ID：  28A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  123mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：  2V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs