型号: SIHG61N65EF-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
系列： E
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 371nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 7407pF @ 100V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 520W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 47 毫欧 @ 30.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：zhang
Q Q:
联系人：曹泷
电话：18127050390
Q Q:
联系人：张昕甜
Q Q:
