型号: SIHH11N65E-T1-GE3
功能描述: MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-8x8-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 316 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 34 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 130 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 8 mm
系列: E
宽度: 8 mm
商标: Vishay / Siliconix
下降时间: 23 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 28 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 39 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
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