型号:  SIHH21N60E-T1-GE3

功能描述:  MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PowerPAK-8x8-4

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  20 A

Rds On-漏源导通电阻:  153 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  55 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  104 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1 mm

长度:  8 mm

系列:  E

宽度:  8 mm

商标:  Vishay / Siliconix

下降时间:  45 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  32 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  68 ns

典型接通延迟时间:  20 ns