型号: SIHL640STRL-GE3
功能描述: Vishay Si N沟道 MOSFET SIHL640STRL-GE3, 17 A, Vds=200 V, 3引脚 SMD-220封装
制造商: Vishay
通道类型: N
最大连续漏极电流: 17 A
最大漏源电压: 200 V
最大漏源电阻值: 270 m0hms
最小栅阈值电压: 1V
最大栅源电压: -10 V、+10 V
封装类型: SMD-220
安装类型: 表面贴装
晶体管配置: 单
引脚数目: 3
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 125 W
典型关断延迟时间: 44 ns
典型输入电容值@Vds: 1800 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs: 66 nC @ 5 V
晶体管材料: Si
每片芯片元件数目: 1
典型接通延迟时间: 8 ns
最高工作温度: +150 °C
最低工作温度: -55 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：曹先生，骆小姐，周小姐，高先生
电话：13487865852
Q Q:
联系人：李
Q Q:
联系人：吴小姐，曹先生
电话：18207603663
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15815503065
Q Q:
联系人：刘小姐，苏先生
电话：13798203645
Q Q:
联系人：王天天
电话：13636613189
Q Q:
