型号: SIHLR120TR-GE3
功能描述: Vishay Si N沟道 MOSFET SIHLR120TR-GE3, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
制造商: Vishay
通道类型： N
最大连续漏极电流： 7.7 A
最大漏源电压： 100 V
最大漏源电阻值： 380 m0hms
最小栅阈值电压： 1V
最大栅源电压： -10 V、+10 V
封装类型： DPAK (TO-252)
安装类型： 表面贴装
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 42 W
高度： 2.38mm
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 6.73 x 6.22 x 2.38mm
最高工作温度： +150 °C
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 12 nC @ 5 V
典型输入电容值@Vds： 490 pF@ 25 V
典型关断延迟时间： 21 ns
典型接通延迟时间： 9.8 ns
最低工作温度： -55 °C
长度： 6.73mm
宽度： 6.22mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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