型号: SIHP050N60E-GE3
功能描述: MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
制造商: Vishay
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 51 A
Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 130 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 278 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
系列: E
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 12 S
下降时间: 48 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 82 ns
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 67 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
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