型号: SIHP17N60D-E3
功能描述: MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 17 A
Rds On-漏源导通电阻: 340 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 45 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 277.8 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
系列: D
商标: Vishay / Siliconix
下降时间: 30 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 56 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 37 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
单位重量: 6 g
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：刘清影
电话：18924630310
Q Q:
联系人：谢威
电话：18778722482
Q Q:
联系人：赵晓珊
电话：13632707739
Q Q:
