型号:  SIHW23N60E-GE3

功能描述:  MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-247AD-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  23 A

Rds On-漏源导通电阻:  158 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  63 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  227 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Bulk

高度:  20.82 mm

长度:  15.87 mm

系列:  E

宽度:  5.31 mm

商标:  Vishay / Siliconix

下降时间:  34 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  38 ns

工厂包装数量:  480

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  66 ns

典型接通延迟时间:  22 ns

单位重量:  38 g