型号: SIJA52DP-T1-GE3
功能描述: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 60A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 150nC @ 20V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 7150pF @ 20V
Vgs（最大值）： +20V，-16V
功率耗散（最大值）： 48W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1.7 毫欧 @ 15A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerPAK® SO-8
封装形式Package： SO-8L-4
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 40V
连续漏极电流ID： 60A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 1.4mOhms
栅源极阀值电压VGS(th)： 1.1V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：揭国强
电话：17724686119
Q Q:
联系人：付志彬
电话：13923718679
Q Q:
联系人：周先生
电话：13266507502
Q Q:
