型号: SIR182DP-T1-RE3
功能描述: MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.6 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 42.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69.4 W
配置: Single
商标名: TrenchFET, PowerPAK
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: SIR
商标: Vishay / Siliconix
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 23 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
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