型号:  SIR402DP-T1-E3

功能描述:   MOSFET, N, SO-8

制造商:  VISHAY SILICONIX

晶体管极性：  :N Channel

Continuous Drain Current Id：  :35A

Drain Source Voltage Vds：  :30V

On Resistance Rds(on)：  :6mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :10V

Threshold Voltage Vgs：  :1.15V

功耗：  :4.2W

Operating Temperature Min：  :-55°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :PowerPAK SO

No. of Pins：  :8

MSL：  :MSL 1 - Unlimited

Current Id Max：  :20.7A

Junction Temperature Tj Max：  :150°C

工作温度范围：  :-55°C to +150°C

封装：  :Cut Tape

上升时间：  :20ns

端接类型：  :SMD

Voltage Vds Typ：  :30V

Voltage Vgs Max：  :20V

Voltage Vgs Rds on Measurement：  :10V

Voltage Vgs th Max：  :3V

Voltage Vgs th Min：  :1V

Weight (kg)：  0.0004

Tariff No.：  85412900