型号:  SIR416DP-T1-GE3

功能描述:  N-Channel 40 V 3.8 mO 90 nC SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8

制造商:  Vishay

系列：  TrenchFET®

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  50A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  90nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3350pF @ 20V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  5.2W（Ta），69W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  3.8 毫欧 @ 15A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PowerPAK® SO-8

封装形式Package：  SOIC-8

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  40V

连续漏极电流ID：  50A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  3.1mOhms

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs