型号: SIR466DP-T1-GE3
功能描述: MOSFET
制造商: Vishay
系列： SI
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 40A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 65nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2730pF @ 15V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 5W（Ta），54W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 3.5 毫欧 @ 15A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerPAK®SO-8
封装形式Package： SOIC-8
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 40A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 3.5mOhms
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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