型号:  SIR692DP-T1-RE3

功能描述:  

制造商:  Vishay

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1405pF @ 125V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  104W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  63 mOhm @ 10A, 10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：  250V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  24.2A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  7.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  30nC @ 7.5V

Id-连续漏极电流：  24.2A

Pd-功率耗散：  104W

Qg-栅极电荷：  40nC

Rds On-漏源导通电阻：  52mOhms

Vds-漏源极击穿电压：  250V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Vgs th-栅源极阈值电压：  2V

上升时间：  62ns

下降时间：  32ns

典型关闭延迟时间：  14ns

典型接通延迟时间：  13ns

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  PowerPAK-SO-8

晶体管极性：  N-Channel

晶体管类型：  1N-Channel

最大工作温度：  +150C

最小工作温度：  -55C

正向跨导 - 最小值：  26S

系列：  SIR

通道数量：  1Channel

通道模式：  Enhancement

配置：  Single

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs