SIR802DP-T1-GE3规格参数_SIR802DP-T1-GE3全国代理商/分销商

型号: SIR802DP-T1-GE3
功能描述: Single N-Channel 20 V 0.005 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 30A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 2.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 32nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1785pF @ 10V
Vgs（最大值）： ±12V
功率耗散（最大值）： 4.6W（Ta），27.7W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 5 毫欧 @ 10A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳： PowerPAK® SO-8
封装形式Package： SOIC-8
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 20V
连续漏极电流ID： 30A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 5mOhms
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs