型号: SIR866DP-T1-GE3
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
特色产品: N-Channel TrenchFET® Gen III Power MOSFETs
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: TrenchFET®
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 60A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 1.9 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 107nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 4730pF @ 10V
功率 - 最大值: 83W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK® SO-8
供应商器件封装: PowerPAK® SO-8
其它名称: SIR866DP-T1-GE3TRSIR866DPT1GE3
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