型号: SIR890DP-T1-GE3
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
特色产品： N-Channel TrenchFET® Gen III Power MOSFETs
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 50A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 2.9 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 2747pF @ 10V
功率 - 最大值： 50W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerPAK® SO-8
供应商器件封装： PowerPAK® SO-8
其它名称： SIR890DP-T1-GE3TRSIR890DPT1GE3
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