型号: SIRA20DP-T1-RE3
功能描述: N-Channel 25 V (D-S) MOSFET
制造商: Vishay
系列: TrenchFET®
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 25V
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 81.7A(Ta), 100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 2.1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 200nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 10850pF @ 10V
Vgs(最大值): +16V,-12V
功率耗散(最大值): 6.25W(Ta),104W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 0.58 毫欧 @ 20A, 10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK® SO-8
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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