型号: SIRA20DP-T1-RE3
功能描述: N-Channel 25 V (D-S) MOSFET
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 25V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 81.7A（Ta）, 100A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 200nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 10850pF @ 10V
Vgs（最大值）： +16V，-12V
功率耗散（最大值）： 6.25W（Ta），104W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 0.58 毫欧 @ 20A, 10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerPAK® SO-8
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈梓豪
电话：15989738763
Q Q:
联系人：张伟武
电话：13542881370
Q Q:
联系人：张先生
电话：19967512226
Q Q:
