型号: SIS376DN-T1-GE3
功能描述: MOSFET 20 Volts 35 Amps 33 Watts
制造商: Vishay / Siliconix
产品种类： MOSFET
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 20 V
闸/源击穿电压： 20 V
漏极连续电流： 35 A
导通电阻： 4.7 mOhms
配置： Single
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： PowerPAK 1212-8
封装： Reel
商标： Vishay / Siliconix
下降时间： 7 ns
正向跨导 - 最小值： 50 S
栅极电荷 Qg： 16.5 nC
功率耗散： 33 W
上升时间： 9 ns
系列： SISxxxDN
工厂包装数量： 3000
典型关闭延迟时间： 16 ns
零件号别名： SIS376DN-GE3
ROHS： 无铅
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