型号: SIS472ADN-T1-GE3
功能描述: MOSFET
制造商: Vishay
系列： SIS
高度： 1.04 mm
宽度： 3.3 mm
商标名： TrenchFET
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 24A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 44nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1515pF @ 15V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 28W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 8.5 毫欧 @ 10A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerPAK®1212-8
封装形式Package： PowerPAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 15A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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