SIS888DN-T1-GE3规格参数_SIS888DN-T1-GE3全国代理商/分销商

型号: SIS888DN-T1-GE3
功能描述: SiS888DN Series 150 V 20.2 A 0.058 Ohm N-Channel MOSFET - PowerPAK 1212-8S
制造商: Vishay
系列： ThunderFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 20.2A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 7.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 14.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 420pF @ 75V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 52W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 58 毫欧 @ 10A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TA）
安装类型：表面贴装
封装/外壳： PowerPAK® 1212-8S
封装形式Package： PowerPAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 150V
连续漏极电流ID： 5.3A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs