型号: SISF02DN-T1-GE3
功能描述: MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
制造商: Vishay Siliconix
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: TrenchFET® Gen IV
零件状态: 有源
FET 类型: 2 N 沟道（双）共漏
FET 功能: 标准
漏源电压（Vdss）: 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 30.5A（Ta），60A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 3.5 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 56nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2650pF @ 10V
功率 - 最大值: 5.2W（Ta），69.4W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: PowerPAK® 1212-8SCD
供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8SCD
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