型号: SISHA10DN-T1-GE3
功能描述: MOSFET N-CH 30V PP 1212-8
制造商: Vishay Siliconix
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: TrenchFET® Gen IV
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 25A(Ta),30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 3.7 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 51nC @ 10V
Vgs(最大值): +20V,-16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 2425pF @ 15V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.6W(Ta),39W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® 1212-8SH
封装/外壳: PowerPAK® 1212-8SH
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