型号:  SIZF920DT-T1-GE3

功能描述:  MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5

制造商:  Vishay Siliconix

包装:  Digi-Reel® 得捷定制卷带

系列:  TrenchFET® Gen IV

零件状态:  有源

FET 类型:  2 个 N 通道（双），肖特基

FET 功能:  标准

漏源电压（Vdss）:  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:  28A（Ta），76A（Tc），49A（Ta），197A（Tc）

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）:  3.07 毫欧 @ 10A，10V，1.05 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:  2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）:  29nC @ 10V，125nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:  1300pF @ 15V，5230pF @ 15V

功率 - 最大值:  3.9W（Ta），28W（Tc），4.5W（Ta），74W（Tc）

工作温度:  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型:  表面贴装型

封装/外壳:  8-PowerWDFN

供应商器件封装:  8-PowerPair®（6x5）