型号: SK360P
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：P沟道
制造商: SHIKUES(时科)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 3.2A
栅源极阈值电压: 1.3V @ 250uA
漏源导通电阻: 55mΩ @ 3.2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: -
类型: P沟道
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