型号: SKB02N120ATMA1
功能描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263
制造商: Infineon Technologies AG
供应商封装形式： TO-263
最大栅极发射极电压： ±20
最大连续集电极电流： 6.2
欧盟RoHS指令： Compliant
最高工作温度： 150
标准包装名称： D2PAK
渠道类型： N
最大集电极发射极电压： 1200
最大功率耗散： 62000
最低工作温度： -55
引脚数： 3
铅形状： Gull-wing
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