型号: SKD503T
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：227W(Tc) 类型：N沟道
制造商: CRMICRO(华润微)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 120A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 4.5mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 227W(Tc)
类型: N沟道
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13066809747
Q Q:
联系人：李
Q Q:
联系人：金R
电话：15012763805
Q Q:
联系人：李佳文
电话：18927449101
Q Q:
联系人：曾美禾
电话：13641488418
Q Q:
