型号: SKM200GB12E4
功能描述: IGBT halfbridge module 314A 1200V
制造商: SEMIKRON
配置： 双半桥
晶体管配置： 串行
最大连续集电极电流： 314 A
最大集电极-发射极电压： 1200 V
最大栅极发射极电压： ±20V
通道类型： N
安装类型： 面板安装
封装类型： SEMITRANS3
引脚数目： 7
尺寸： 106.4 x 61.4 x 30mm
高度： 30mm
长度： 106.4mm
最高工作温度： +175 °C
宽度： 61.4mm
最低工作温度： -40 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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