型号: SKM50GB12T4
功能描述: IGBT halfbridge module 81A 1200V
制造商: SEMIKRON
配置: 双半桥
晶体管配置: 串行
最大连续集电极电流: 81 A
最大集电极-发射极电压: 1200 V
最大栅极发射极电压: ±20V
通道类型: N
安装类型: 面板安装
封装类型: SEMITRANS2
引脚数目: 7
尺寸: 94 x 34 x 30.1mm
高度: 30.1mm
长度: 94mm
最高工作温度: +175 °C
宽度: 34mm
最低工作温度: -40 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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