型号: SKML6401
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：16V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：110mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：P沟道
制造商: SHIKUES(时科)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 16V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 3A
栅源极阈值电压: 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 110mΩ @ 3A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: -
类型: P沟道
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