型号: SM2A18NSV
功能描述: MOS(场效应管)
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 200V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 1.2Ω @ 0.58A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3.1W(Tc)
类型: N沟道
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