型号: SMBT35200MT1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 2A
电压 - 集射极击穿（最大值）： 35V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 310mV @ 20mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 100 @ 1.5A，1.5V
功率 - 最大值： 625mW
频率 - 跃迁： 100MHz
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-23-6
供应商器件封装： 6-TSOP
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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