型号:  SMBT3904PNH6327XTSA1

功能描述:  Infineon SMBT3904PNH6327XTSA1, 双 NPN + PNP 晶体管, 200 mA, Vce=40 V, HFE:30, 250（最小）MHz, 6引脚

制造商:  Infineon Technologies

晶体管类型：  NPN，PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：  40V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：  400mV @ 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）：  50nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  100 @ 10mA，1V

功率 - 最大值：  250mW

频率 - 跃迁：  250MHz

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT363

供应商器件封装：  PG-SOT363-6

晶体管类型：  NPN + PNP

最大直流集电极电流：  200 mA

最大集电极-发射极电压：  40 V

封装类型：  SOT-363 (SC-88)

最大功率耗散：  250 mW

最小直流电流增益：  30

晶体管配置：  隔离式

最大发射极-基极电压：  6 V

最大工作频率：  250（最小）MHz

引脚数目：  6

每片芯片元件数目：  2

最大基极-发射极饱和电压：  0.95 V

最高工作温度：  +150 °C

高度：  0.8mm

尺寸：  2 x 1.25 x 0.8mm

最大集电极-发射极饱和电压：  0.4 V

宽度：  1.25mm

长度：  2mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs