型号: SMBT3904PNH6327XTSA1
功能描述: Infineon SMBT3904PNH6327XTSA1, 双 NPN + PNP 晶体管, 200 mA, Vce=40 V, HFE:30, 250(最小)MHz, 6引脚
制造商: Infineon Technologies
晶体管类型: NPN,PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 200mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 40V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 400mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 100 @ 10mA,1V
功率 - 最大值: 250mW
频率 - 跃迁: 250MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT363
供应商器件封装: PG-SOT363-6
晶体管类型: NPN + PNP
最大直流集电极电流: 200 mA
最大集电极-发射极电压: 40 V
封装类型: SOT-363 (SC-88)
最大功率耗散: 250 mW
最小直流电流增益: 30
晶体管配置: 隔离式
最大发射极-基极电压: 6 V
最大工作频率: 250(最小)MHz
引脚数目: 6
每片芯片元件数目: 2
最大基极-发射极饱和电压: 0.95 V
最高工作温度: +150 °C
高度: 0.8mm
尺寸: 2 x 1.25 x 0.8mm
最大集电极-发射极饱和电压: 0.4 V
宽度: 1.25mm
长度: 2mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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