型号: SMBT3946DW1T1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型: NPN,PNP
电流-集电极(Ic)(最大值): 200mA
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值): 300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值): 100 @ 10mA,1V
功率-最大值: 150mW
频率-跃迁: 300MHz,250MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-88/SC70-6/SOT-363
封装形式Package: SC-88
极性Polarity: NPN+PNP
集电极最大允许电流Ic: 0.2A
集电极_发射极击穿电压VCEO: 40V
功率 - 最大值: 150mW
频率 - 跃迁: 300MHz,250MHz
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 200mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 40V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 100 @ 10mA,1V
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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