型号: SMDA05CDR2G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
类型： 齐纳
双向通道： 4
电压-反向关态（典型值）： 5V（最大）
电压-箝位（最大值）@Ipp： 11V
电流-峰值脉冲（10/1000µs）： 17A（8/20µs）
电源线路保护： 无
应用： 通用
不同频率时的电容： 350pF @ 1MHz
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC
封装形式Package： SOIC-8
反向工作电压VRWM： 5V
结电容Cj： 350pF
最大峰值脉冲功率Ppp： 300W
反向漏电流IR： 20uA
反向击穿电压（最小值）VBR_Min： 6V
功率 - 峰值脉冲： 300W
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
电压 - 反向关态（典型值）： 5V（最大）
电压 - 击穿（最小值）： 6V
电压 - 箝位（最大值）@ Ipp： 11V
电流 - 峰值脉冲（10/1000µs）： 17A（8/20µs）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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