型号: SMF5N60
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道
制造商: 华科HUAKE
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 5A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 2.5Ω @ 2.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 35W
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13631261606
Q Q:
联系人：李林，史小姐，李小姐
电话：15816893710
Q Q:
联系人：李工
电话：15618331095
Q Q:
联系人：曾凯
电话：13312958426
Q Q:
