型号: SMMBF4391LT1G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）： 30V
漏源电压（Vdss）： 30V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）： 50mA
电压，耦合至电流 - 泄漏 @ Vds（Vgs=0）： 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）： 4V
电流，耦合至电压 - 截止（VGS off）@ Id： 10nA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 14pF @ 15V（VGS）
电阻 - RDS（开）： 30 Ohms
功率 - 最大值： 225mW
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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