型号:  SN7002NH6327XTSA2

功能描述:  MOSFET N-Ch 60V 200mA SOT-23-3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PG-SOT-23-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  200 mA

Rds On-漏源导通电阻:  5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  1 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  0.36 W

配置:  Single

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.1 mm

长度:  2.9 mm

产品:  SIPMOS Small Signal

系列:  SN7002

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  SIPMOS Small Signal Transistor

宽度:  1.3 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  0.17 S

下降时间:  3.6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  3.2 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  5.3 ns

典型接通延迟时间:  2.4 ns

零件号别名:  H6327 SN7002N SN72NH6327XT SP000929188

单位重量:  8 mg