型号: SP8J2FU6TB
功能描述: Rohm Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Rohm Semiconductor
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 P 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4.5A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 56 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 8.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 850pF @ 10V
功率 - 最大值： 2W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： 8-SOIC N
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：谢小姐
电话：13088842066
Q Q:
联系人：可乔
电话：18565707557
Q Q:
联系人：刘雨坤
电话：18296137845
Q Q:
