型号: SP8J65TB1
功能描述: MOSFET MOSFET -30V -7A PCH DUAL
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOP-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 21.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 18 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Reel
晶体管类型: 2 P-Channel
商标: ROHM Semiconductor
下降时间: 65 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 40 ns, 40 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
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