型号: SP8M2FU6TB
功能描述: Rohm Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Rohm Semiconductor
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： N 和 P 沟道
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.5A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 83 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 3.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 140pF @ 10V
功率 - 最大值： 2W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： 8-SOIC N
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