型号:  SPB02N60S5

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

安装风格：  SMD/SMT

封装/外壳：  TO-263-3

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  600V

Id-连续漏极电流：  1.8A

Rds On-漏源导通电阻：  3Ohms

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  25W

通道模式：  Enhancement

高度：  4.4mm

长度：  10mm

系列：  CoolMOSS5

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  9.25mm

下降时间：  20ns

上升时间：  35ns

典型关闭延迟时间：  35ns

典型接通延迟时间：  35ns

RDS (on) max：  3000.0mΩ

IDpuls max：  3.2A

VDS max：  600.0V

ID max：  1.8A

Package：  D2PAK (TO-263)

Rth：  5.0K/W

QG：  7.3nC

Ptot max：  25.0W

Polarity：  N

VGS(th) min max：  3.5V 5.5V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs