型号:  SPB08P06PGATMA1

功能描述:  Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB08P06PGATMA1, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  8.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  13nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  420pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  42W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  300 毫欧 @ 6.2A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  D²PAK（TO-263AB）

封装/外壳：  PG-TO263-3

通道类型：  P

最大连续漏极电流：  8.8 A

最大漏源电压：  60 V

最大漏源电阻值：  0.3 0hms

最大栅阈值电压：  4V

最小栅阈值电压：  2.1V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  D2PAK (TO-263)

晶体管配置：  单

引脚数目：  3

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  42 W

最低工作温度：  -55 °C

尺寸：  10.312 x 9.45 x 4.572mm

每片芯片元件数目：  1

正向跨导：  4.8S

正向二极管电压：  1.55V

长度：  10.31mm

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  10 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  335 pF @ -25 V

典型关断延迟时间：  48 ns

典型接通延迟时间：  16 ns

宽度：  9.45mm

高度：  4.572mm

最高工作温度：  +175 °C

系列：  SIPMOS

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs