型号:  SPB11N60S5

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO263-3

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  600V

Id-连续漏极电流：  11A

Rds On-漏源导通电阻：  380mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  125W

通道模式：  Enhancement

高度：  4.4mm

长度：  10mm

系列：  CoolMOSS5

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  9.25mm

下降时间：  20ns

上升时间：  35ns

典型关闭延迟时间：  150ns

典型接通延迟时间：  130ns

Packing Type：  TAPE & REEL

Moisture Level：  1

RDS (on) max：  380.0mΩ

IDpuls max：  22.0A

VDS max：  600.0V

ID max：  11.0A

RthJC max：  1.0 K/W

QG (typ @10V)：  41.5 nC

Package：  D2PAK (TO-263)

Budgetary Price €€/1k：  1.22

Ptot max：  125.0W

Polarity：  N

VGS(th) min max：  3.5 V 5.5 V

Mounting：  SMT

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs