型号: SPB12N50C3E3045
功能描述: Trans MOSFET N-CH 560V 11.6A T/R
制造商: infineon technologies
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 560 V
最大连续漏极电流： 11.6 A
RDS -于： 380@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 10 ns
典型上升时间： 8 ns
典型关闭延迟时间： 45 ns
工作温度： -55 to 150 °C
标准包装： Tape & Reel
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