型号: SPB18P06PG
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18.7A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：130mΩ @ 13.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：81.1W 类型：P沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 18.7A
栅源极阈值电压: 4V @ 1mA
漏源导通电阻: 130mΩ @ 13.2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 81.1W
类型: P沟道
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